资料来源：DeepTech最近，日本的软银集团和美国英特尔公司已经达成了一项合作，共同开发了新的低功率人为记忆的智力记忆。这个称为“ Sainemory”的合作项目旨在开发具有与当前主要高宽带记忆（HBM）相当的性能的创新产品，但将电力消耗降低了一半以上，表明在AI硬件现场效率方面具有重要的能源效率革命。据报道，这两家公司为此建立了一家名为“ Saimemory”的物理公司。通过公司的注册记录，注册记录发现到2024年底，实际上有一家名为Saimemory的公司。Saimemory的主要任务是开发创新的Nak Nakrandom访问记忆（DRAM）技术，该技术被定位为AI服务器的强大HBM替代方案。尽管HBM在AI中表现出非凡的表现现场，高成本，大型电力消耗和复杂的制造过程始终是该行业的挑战。 SAIMEMORY的目的是显着降低能耗，同时提供与HBM相当的高性能带宽，该带宽旨在通过产品的能源消耗来达到一半或更少。照片|记录注册记录的最初目的（来源：Alarmbox）是在未来两年内完成原型芯片的制造，并在2027年实现了可能的演示，到2030年到2030年，商业化的最终希望是投资者在这种合作中发挥了重要作用。整个项目的总成本预计将达到100亿日元（约合7,000万美元）。除了英特尔和软银外，机构以及物理与化学研究所和新科电力行业等公司也是D投资和技术合作，可能会在国家一级寻求财政支持。当前，AI处理器，尤其是用于大规模模型培训和理解的GPU，高度依赖于HBM来满足其出色的数据需求吞吐量。 HBM通过堆叠多层DRAM芯片并使用整个技术来实现很高的带宽，但是制造成本是高，复杂的过程，高电力消耗和热量的严重几代。在AI应用程序的爆炸中，对HBM的需求已经向前发展，从而导致三个主要供应商，三星，SK Hynix和Micron的生产能力不断，价格仍然很高。 Saimemory项目的主要目的是我们应该克服HBM电力和成本的瓶颈。根据报道，通过优化DRAM芯片的方法和内部连接线的结构，Saimemory旨在将AI计算过程中的即时数据处理存储器处理减少到更少的T一半现有产品的一半。如果成功的话，它不仅会大大降低AI数据中心的运营成本，而且还将有助于开发更好，环境AI基础设施，尤其是在日益严格的能源供应的背景下。 Parain SoftBank，这种合作的战略意义尤为重要。 Nikkei News指出，当成功推出Saimemory产品时，Softbank将获得优先客户的供应。软银计划将此新的内存应用于正在构建的AI研究数据中心，以实现质量，廉价的AI计算服务。毫无疑问，这是确保未来对软银的竞争的关键步骤，该软银积极参与了AI浪潮。对于英特尔来说，参加Sainemory项目标志着记忆领域的重要回报。英特尔决定在2022年从其Optane存储业务中删除，并将其闪烁的业务出售给SK Hynix，但保持了3D Xpoint与3D XPoint相关的相关技术。尽管Saimemory致力于TDRAM生态学并在Optane存储技术的路径上有所不同，但英特尔在高级包装，芯片堆叠和其他领域的技术积累无疑将为Saimemory Research and Development提供重要的支持。尽管英特尔目前的财务状况面临着一定压力，但其战略布局的投资却达到了近7000万美元。照片|英特尔Optane M10（来源：英特尔）具有社交媒体评论，如果这意味着“ Optane 2.0”的特定延续，则可以弥补。虽然两者的技术基础不同 - Optane的好处较低，而AI推理则更加专注于带宽 - 先进的英特尔存储技术和专利以及存储建筑经验可以为Thosesaimemory项目带来间接的益处。 Saimemory的研发方向更多地关注于通过结构性变化与三星和Neo半导体等公司的研发路径不同，这些公司主要致力于通过3D堆叠（例如512GB的单个模块）提高DRAM容量。在更宏观的层面上，Saimemory项目还带来了日本对半导体记忆行业革命的期望。日本公司曾经在1980年代征服了近70％的全球DRAM市场，但随后在韩国和台湾竞争对手的影响下逐渐拒绝。近年来，随着全球半导体供应链的强调和控制的越来越多，日本政府还累积了当地半导体行业ductoror的复活，并计划在2030年预约年份的半导体和AI领域中投资10万亿日元在半导体和AI领域的公共资金中。参考材料：1。https：//asia.nikkei.com/business/tech/speamonductors/sooftbank-tel-work-i-mmory-mmory-mmory-cemory-ton//www.theregister.com/2025/2025/06/02/asian_tech_tech_tech_tech_news_news_roundubep/popepy：he chenepepe：